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FET，MOSFET - 阵列

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DMC67D8UFDBQ-13

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
汽车级，AEC-Q101
零件状态
有源
FET 类型
N 和 P 沟道互补型
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
60V，20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
390mA（Ta），2.9A（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
4Ohm @ 500mA，10V，72mOhm @ 3.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA，1.25V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
0.4pC，7.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
41pF，443pF @ 25V，16V
功率 - 最大值
580mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
U-DFN2020-6（B 类）
商品其它信息
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