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双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
NSBC114EPDXV6T5G参考图片

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NSBC114EPDXV6T5G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
晶体管类型
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50V
电阻器 - 基底（R1）
10 千欧
电阻器 - 发射极基底（R2）
10 千欧
不同Ic，Vce时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
35 @ 5mA，10V
不同Ib，Ic 时的Vce 饱和值（最大值）
250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）
500nA
频率 - 跃迁
-
功率 - 最大值
500mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
商品其它信息
优势价格，NSBC114EPDXV6T5G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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暂无价格
参考库存:52550
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