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双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
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IMH24T110

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参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
不適用於新設計
晶体管类型
2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
600mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
20V
电阻器 - 基底(R1)
2.2 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)
-
不同Ic,Vce时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
820 @ 50mA,5V
不同Ib,Ic 时的Vce 饱和值(最大值)
150mV @ 50mA,2.5mA
电流 - 集电极截止(最大值)
500nA(ICBO)
频率 - 跃迁
150MHz
功率 - 最大值
300mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SC-74,SOT-457
供应商器件封装
SMT6
商品其它信息
优势价格,IMH24T110的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
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