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双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
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IMH14AT108

  • Rohm Semiconductor
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  • TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
-
零件状态
不適用於新設計
晶体管类型
2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻器 - 基底(R1)
47 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)
-
不同Ic,Vce时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
100 @ 1mA,5V
不同Ib,Ic 时的Vce 饱和值(最大值)
300mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)
-
频率 - 跃迁
250MHz
功率 - 最大值
300mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SC-74,SOT-457
供应商器件封装
SMT6
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
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