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双极（BJT）- 单，预偏置
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DTA114EUBHZGTL

  • Rohm Semiconductor
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  • PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
汽车级，AEC-Q101
零件状态
不適用於新設計
晶体管类型
PNP - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
100mA
电阻器 - 基底（R1）
10 kOhms
电阻器 - 发射极基底（R2）
10 kOhms
不同Ic，Vce时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
30 @ 5mA，5V
不同Ib，Ic 时的Vce 饱和值（最大值）
300mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）
-
频率 - 跃迁
250MHz
功率 - 最大值
200mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SC-85
供应商器件封装
UMT3F
商品其它信息
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