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双极性晶体管(BJT)- 阵列
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L6221CD013TR

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • TRANS 4NPN DARL 60V 1.2A 20SOIC
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
晶体管类型
4 NPN 达林顿(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
1.2A
电压 - 集射极击穿(最大值)
60V
不同Ib,Ic 时的Vce 饱和值(最大值)
-
电流 - 集电极截止(最大值)
-
不同Ic,Vce时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
-
功率 - 最大值
-
频率 - 跃迁
-
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装
20-SO
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
双极性晶体管(BJT)- 阵列
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