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双极性晶体管（BJT）- 单个
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BSP52T1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
-
零件状态
有源
晶体管类型
NPN - 达林顿
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
1A
电压 - 集射极击穿（最大值）
80V
不同Ib，Ic 时的Vce 饱和值（最大值）
1.3V @ 500µA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）
10µA
不同Ic，Vce时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
2000 @ 500mA，10V
功率 - 最大值
800mW
频率 - 跃迁
-
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装
SOT-223
商品其它信息
优势价格，BSP52T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BUJ106A,127
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