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UGBT、MOSFET - 单
IGB01N120H2ATMA1参考图片

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IGB01N120H2ATMA1

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
最後搶購
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
3.2A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
3.5A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.8V @ 15V,1A
功率 - 最大值
28W
开关能量
140µJ
输入类型
标准
栅极电荷
8.6nC
25°C 时 Td(开/关)值
13ns/370ns
测试条件
800V,1A,241 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
800V,1A,241 欧姆,15V
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
商品其它信息
优势价格,IGB01N120H2ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
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