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UGBT、MOSFET - 单
IXYP10N65C3D1M参考图片

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IXYP10N65C3D1M

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
XPT™，GenX3™
零件状态
有源
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
15A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
50A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.6V @ 15V，10A
功率 - 最大值
53W
开关能量
240µJ（开），170µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
18nC
25°C 时 Td（开/关）值
20ns/77ns
测试条件
400V，10A，50 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
26ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 全封装，隔离接片
供应商器件封装
TO-220 隔离的标片
商品其它信息
优势价格，IXYP10N65C3D1M的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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