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UGBT、MOSFET - 单
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FGA40T65UQDF

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 650V 80A 231W TO3PN
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
80A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
120A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
1.67V @ 15V，40A
功率 - 最大值
231W
开关能量
989µJ（开），310µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
306nC
25°C 时 Td（开/关）值
32ns/271ns
测试条件
400V，40A，6 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
89ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装
TO-3PN
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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