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UGBT、MOSFET - 单
FGA25S125P-SN00337参考图片

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FGA25S125P-SN00337

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 1250V 50A 250W TO-3PN
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
1250V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
50A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
75A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.35V @ 15V,25A
功率 - 最大值
250W
开关能量
1.09mJ(开),580µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
204nC
25°C 时 Td(开/关)值
24ns/502ns
测试条件
600V,25A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
600V,25A,10 欧姆,15V
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装
TO-3PN
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 160A 250W TO3PF
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