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UGBT、MOSFET - 单

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DGTD65T60S2PT

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参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
100A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
180A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.4V @ 15V,60A
功率 - 最大值
428W
开关能量
920µJ(开),530µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
95nC
25°C 时 Td(开/关)值
42ns/142ns
测试条件
400V,60A,7 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
205ns
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247
商品其它信息
优势价格,DGTD65T60S2PT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 900V 43A 250W TO247
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UGBT、MOSFET - 单
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