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UGBT、MOSFET - 单
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STGD6M65DF2

  • STMicroelectronics
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  • TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
M
零件状态
有源
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
12A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
24A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2V @ 15V，6A
功率 - 最大值
88W
开关能量
36µJ（开），200µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
21.2nC
25°C 时 Td（开/关）值
15ns/90ns
测试条件
400V，6A，22 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
140ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装
DPAK
商品其它信息
优势价格，STGD6M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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