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UGBT、MOSFET - 单

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IXYX200N65B3

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
XPT™，GenX3™
零件状态
有源
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
410A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
1100A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
1.7V @ 15V，100A
功率 - 最大值
1560W
开关能量
5mJ（开），4mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
340nC
25°C 时 Td（开/关）值
60ns/370ns
测试条件
400V，100A，0 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
108ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
PLUS247™-3
商品其它信息
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