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IGBT - 模块

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APTGT35X120T3G

制造商:Microchip Technology
批号:最新
描述:IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP3
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参数信息

参数	参数值
包装	散装
系列	-
零件状态	有源
IGBT 类型	沟槽型场截止
配置	三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）	1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	55A
功率 - 最大值	208W
不同Vge，Ic 时的Vce（on）	2.1V @ 15V，35A
电流 - 集电极截止（最大值）	250µA
不同Vce 时的输入电容（Cies）	2.5nF @ 25V
输入	标准
NTC 热敏电阻	是
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	底座安装
封装/外壳	SP3
供应商器件封装	SP3

商品其它信息

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