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FET，MOSFET - 阵列
FDG6332C-F085P参考图片

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FDG6332C-F085P

  • ON Semiconductor
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  • DUAL NP MOS SC70-6 20V
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
汽车级，AEC-Q101
零件状态
最後搶購
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
700mA（Ta），600mA（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
300 毫欧 @ 700mA，4.5V，420 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
1.5nC @ 4.5V，2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
113pF @ 10V，114pF @ 10V
功率 - 最大值
300mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
SC-88/SC70-6/SOT-363
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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