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FET，MOSFET - 阵列
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HAT1126RWS-E

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平栅极，4.5V 驱动
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6A（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
50 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
37nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2300pF @ 10V
功率 - 最大值
3W（Ta）
工作温度
150°C
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOP
商品其它信息
优势价格，HAT1126RWS-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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