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FET，MOSFET - 阵列
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ALD114835PCL

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
EPAD®
零件状态
有源
FET 类型
4 N 沟道，配对
FET 功能
耗尽模式
漏源电压（Vdss）
10.6V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
12mA，3mA
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
540 欧姆 @ 0V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.45V @ 1µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2.5pF @ 5V
功率 - 最大值
500mW
工作温度
0°C ~ 70°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
16-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装
16-PDIP
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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