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FET，MOSFET - 阵列
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PMWD16UN,518

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列
TrenchMOS™
零件状态
停產
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
9.9A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
19 毫欧 @ 3.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
700mV @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
23.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1366pF @ 16V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装
8-TSSOP
商品其它信息
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