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FET，MOSFET - 阵列

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EFC2K102NUZTDG

  • ON Semiconductor
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
2 N 沟道（双）共漏
FET 功能
逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源电压（Vdss）
12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
33A（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
2.65 毫欧 @ 5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
42nC @ 3.8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
功率 - 最大值
3.1W（Ta）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
10-SMD, 无引线
供应商器件封装
10-WLCSP（2.98x1.49）
商品其它信息
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