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FET，MOSFET - 阵列
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CAS120M12BM2

  • Cree/Wolfspeed
  • 最新
  • MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
Z-Rec®
零件状态
有源
FET 类型
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
碳化硅 （SiC）
漏源电压（Vdss）
1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
193A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
16 毫欧 @ 120A，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.6V @ 6mA（标准）
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
378nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
6300pF @ 1000V
功率 - 最大值
925W
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
商品其它信息
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