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FET，MOSFET - 阵列
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EPC2108

  • EPC
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  • GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
eGaN®
零件状态
有源
FET 类型
3 N 沟道（半桥 + 同步自举）
FET 功能
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
60V，100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1.7A，500mA
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
190 毫欧 @ 2.5A, 5V, 3.3 欧姆 @ 2.5A, 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
9-VFBGA
供应商器件封装
9-BGA (1.35x1.35)
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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