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FET，MOSFET - 阵列
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US6J12TCR

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • 1.5V DRIVE PCH+PCH MOSFET. US6J1
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2A（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
105 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
7.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
850pF @ 6V
功率 - 最大值
910mW（Ta）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-SMD，扁平引线
供应商器件封装
TUMT6
商品其它信息
优势价格，US6J12TCR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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