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FET，MOSFET - 阵列

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TSM250N02DCQ RFG

制造商:Taiwan Semiconductor Corporation
批号:最新
描述:MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN
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参数信息

参数	参数值
包装	标准卷带
系列	-
零件状态	有源
FET 类型	2 N-通道（双）
FET 功能	标准
漏源电压（Vdss）	20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	5.8A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	25 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	800mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	7.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	775pF @ 10V
功率 - 最大值	620mW
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	6-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装	6-TDFN（2x2）

商品其它信息

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