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FET,MOSFET - 阵列
FDD8424H参考图片

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FDD8424H

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
PowerTrench®
零件状态
有源
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
9A,6.5A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
24 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1000pF @ 20V
功率 - 最大值
1.3W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD
供应商器件封装
TO-252-4L
商品其它信息
优势价格,FDD8424H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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