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FET,MOSFET - 射频
MMRF1009HR5参考图片

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MMRF1009HR5

  • NXP USA Inc.
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  • FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
晶体管类型
LDMOS
频率
1.03GHz
增益
19.7dB
电压 - 测试
50V
额定电流(安培)
-
噪声系数
-
电流 - 测试
200mA
功率 - 输出
500W
电压 - 额定
110V
封装/外壳
SOT-957A
供应商器件封装
NI-780H-2L
商品其它信息
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