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FET，MOSFET - 单个

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CTLDM7003-M621 TR

制造商:Central Semiconductor Corp
批号:最新
描述:MOSFET N-CH 50V DFN6
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参数信息

参数	参数值
包装	标准卷带
系列	-
零件状态	停產
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	50V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	280mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	2 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	.764nC @ 4.5V
Vgs（最大值）	12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	50pF @ 25V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	900mW（Ta）
工作温度	-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TLM621
封装/外壳	6-PowerVFDFN

商品其它信息

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