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FET，MOSFET - 单个
SQ3418EEV-T1-GE3参考图片

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SQ3418EEV-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
TrenchFET®
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
8A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
32 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
11nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
11nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
660pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-TSOP
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
商品其它信息
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