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FET，MOSFET - 单个
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IRF6785MTR1PBF

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
HEXFET®
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3.4A（Ta），19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
100 毫欧 @ 4.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
36nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1500pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.8W（Ta），57W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DIRECTFET™ MZ
封装/外壳
DirectFET™ 等容 MZ
商品其它信息
优势价格，IRF6785MTR1PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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