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FET,MOSFET - 单个
NVMFS5C430NLWFT3G参考图片

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NVMFS5C430NLWFT3G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
Digi-Key 停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
-
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
1.5 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
70nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
4300pF @ 20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.8W(Ta),110W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封装/外壳
8-PowerTDFN
商品其它信息
优势价格,NVMFS5C430NLWFT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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