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FET，MOSFET - 单个

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RQA0002DNSTB-E

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
16V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
750mV @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
750mV @ 1mA
Vgs（最大值）
±5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
102pF @ 0V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
15W（Tc）
工作温度
150°C
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
2-HWSON（5x4）
封装/外壳
3-DFN 裸露焊盘
商品其它信息
优势价格，RQA0002DNSTB-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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