您好!欢迎来到购IC商城 登录 注册

产品分类

FET,MOSFET - 单个
SI4666DY-T1-GE3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

SI4666DY-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
库存:36,093(价格仅供参考)
数量单价合计
暂无价格,请联系询价
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
TrenchFET®
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
16.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
10 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
34nC @ 10V
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1145pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),5W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
商品其它信息
优势价格,SI4666DY-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 30V 15A POWERFLAT
暂无价格
参考库存:27345
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
暂无价格
参考库存:27353
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 28V 9A 8-SOIC
暂无价格
参考库存:27361
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FI
暂无价格
参考库存:27377
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
暂无价格
参考库存:27385
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创腾电子科技有限公司

电话:0755-83210909 | 83213361

手机:13725570869

传真:0755-83231283

Email:szyctdz@163.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市毅创腾电子科技有限公司 粤ICP备13057352号