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FET，MOSFET - 单个
SCTH90N65G2V-7参考图片

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SCTH90N65G2V-7

  • STMicroelectronics
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  • SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
18V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
26 毫欧 @ 50A，18V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
157nC @ 18V
Vgs（最大值）
+22V，-10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3300pF @ 400V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
330W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
H2PAK-7
封装/外壳
TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
商品其它信息
优势价格，SCTH90N65G2V-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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