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FET,MOSFET - 单个
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STL42P4LLF6

  • STMicroelectronics
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  • MOSFET P-CH 40V 42A 8POWERFLAT
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
STripFET™ F6
零件状态
有源
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
42A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
18 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
22nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2850pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
75W(Tc)
工作温度
175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerFlat™(5x6)
封装/外壳
8-PowerVDFN
商品其它信息
优势价格,STL42P4LLF6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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