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FET，MOSFET - 单个
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STL18NM60N

  • STMicroelectronics
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  • MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列
MDmesh™ II
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.1A（Ta），12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
310 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
35nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1000pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3W（Ta），110W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerFlat™（8x8） HV
封装/外壳
8-PowerVDFN
商品其它信息
优势价格，STL18NM60N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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