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FET，MOSFET - 单个
SI3442BDV-T1-E3参考图片

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SI3442BDV-T1-E3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列
TrenchFET®
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
57 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
5nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
295pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
860mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-TSOP
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
商品其它信息
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