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SCT2H12NZGC11

制造商:Rohm Semiconductor
批号:最新
描述:MOSFET N-CH 1700V 3.7A
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参数信息

参数	参数值
包装	管件
系列	-
零件状态	有源
FET 类型	N 通道
技术	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）	1700V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	3.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	18V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	1.5 欧姆 @ 1.1A，18V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 900µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	14nC @ 18V
Vgs（最大值）	+22V，-6V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	184pF @ 800V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	35W（Tc）
工作温度	175°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-3PFM
封装/外壳	TO-3PFM，SC-93-3

商品其它信息

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