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FET，MOSFET - 单个
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SCT2H12NZGC11

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1700V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
18V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
1.5 欧姆 @ 1.1A，18V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 900µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
14nC @ 18V
Vgs（最大值）
+22V，-6V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
184pF @ 800V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
35W（Tc）
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-3PFM
封装/外壳
TO-3PFM，SC-93-3
商品其它信息
优势价格，SCT2H12NZGC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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