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整流器 - 阵列

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MSRT200160(A)D

制造商:GeneSiC Semiconductor
批号:最新
描述:DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
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参数信息

参数	参数值
包装	散装
系列	-
零件状态	有源
二极管配置	1 对串联
二极管类型	标准
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）	1600V
电流 - 平均整流（Io）（每二极管）	200A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf	1.1V @ 200A
速度	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同Vr 时的电流 - 反向漏电流	10µA @ 1600V
工作温度 - 结	-55°C ~ 150°C
安装类型	底座安装
封装/外壳	三塔
供应商器件封装	三塔

商品其它信息

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